1

發(fā)明

一種多元低溫共燒陶瓷LTCC微波射頻電路及使用其的方法

ZL201510400788.X

授權(quán)

2015/7/8

2017/11/6

2

發(fā)明

一種抗干擾可調(diào)巨磁阻效應(yīng)電流傳感器

ZL201510393733.0

授權(quán)

2015/7/3

2017/11/7

3

發(fā)明

一種調(diào)諧天線及調(diào)諧方法

ZL201510220934.0

授權(quán)

2015/4/30

2017/6/30

4

發(fā)明

一種超高頻和高頻射頻識(shí)別標(biāo)簽及其信號(hào)傳輸方法

ZL201510218400.4

授權(quán)

2015/4/30

2017/9/26

5

發(fā)明

一種低頻射頻識(shí)別標(biāo)簽及信號(hào)發(fā)送方法

ZL201510216963.X

授權(quán)

2015/4/30

2017/12/21

6

發(fā)明

LTCC功率電感器件基體與陶瓷介質(zhì)材料匹配共燒方法

ZL201510140967.4

授權(quán)

2015/3/27

2017/3/15

7

發(fā)明

一種金屬基薄膜傳感器的制備方法

ZL201510104491.9

授權(quán)

2015/3/10

2017/6/9

8

發(fā)明

一種流體環(huán)境影響下的群體行為控制方法

ZL201410564384.5

授權(quán)

2014/10/22

2017/7/25

9

發(fā)明

一種流體環(huán)境下人體運(yùn)動(dòng)仿真方法

ZL201410568918.6

授權(quán)

2014/10/22

2017/8/15

10

發(fā)明

一種恐慌人群逃生模擬方法

ZL201410566003.1

授權(quán)

2014/10/22

2017/9/26

11

發(fā)明

泡沫狀碳納米管材料、制備方法、散熱結(jié)構(gòu)及測(cè)定方法

ZL201410188697.X

授權(quán)

2014/5/6

2015/7/29

12

發(fā)明

一種基于階梯波的多卷波電路

ZL201310713483.5

授權(quán)

2013/12/23

2017/1/18

13

發(fā)明

一種基于Hadoop的車輛擁擠度獲取方法

ZL201310688009.1

授權(quán)

2013/12/16

2017/5/24

14

發(fā)明

一種單管軟開關(guān)BUCK變換器

ZL201310652645.9

授權(quán)

2013/12/5

2016/3/2

15

發(fā)明

一種具有P型輔助埋層的半超結(jié)VDMOS

ZL201310638191.X

授權(quán)

2013/11/27

2016/2/3

16

發(fā)明

一種非確定性資源需求多播虛擬網(wǎng)絡(luò)的抗毀映射方法

ZL201310602579.4

授權(quán)

2013/11/25

2016/6/22

17

發(fā)明

一種FS-IGBT器件陽(yáng)極的制造方法

ZL201310585511.X

授權(quán)

2013/11/19

2016/3/23

18

發(fā)明

一種通過云平臺(tái)到數(shù)據(jù)中心的查詢系統(tǒng)及方法

ZL201310578744.7

授權(quán)

2013/11/18

2016/6/22

19

發(fā)明

一種業(yè)務(wù)需求感知的虛擬數(shù)據(jù)中心映射方法

ZL201310488026.0

授權(quán)

2013/11/17

2016/10/26

20

發(fā)明

一種節(jié)能數(shù)據(jù)中心的虛擬機(jī)遷移方法

ZL201310487895.1

授權(quán)

2013/11/17

2015/12/23

21

發(fā)明

一種寬元胞絕緣柵雙極型晶體管

ZL201310568187.0

授權(quán)

2013/11/14

2015/11/18

22

發(fā)明

一種剛撓結(jié)合印制電路板的制備方法

ZL201310534682.X

授權(quán)

2013/11/1

2016/6/1

23

發(fā)明

具有空穴復(fù)合層的IGBT終端結(jié)構(gòu)及其制備方法

ZL201310422648.3

授權(quán)

2013/9/17

2016/2/3

24

發(fā)明

一種絕緣柵雙極型晶體管

ZL201310420417.9

授權(quán)

2013/9/16

2016/3/2

25

發(fā)明

一種超結(jié)功率器件及其制造方法

ZL201310420420.0

授權(quán)

2013/9/16

2016/5/11

26

發(fā)明

一種橫向高壓超結(jié)功率半導(dǎo)體器件

ZL201310421765.8

授權(quán)

2013/9/16

2016/4/20

27

發(fā)明

一種車載自組織網(wǎng)絡(luò)單接口多信道切換方法

ZL201310406497.2

授權(quán)

2013/9/9

2016/3/23

28

發(fā)明

一種基于流的網(wǎng)絡(luò)接入控制方法

ZL201310397842.0

授權(quán)

2013/9/5

2016/5/18

29

發(fā)明

一種動(dòng)態(tài)障礙物影響下流體的仿真方法

ZL201310396034.2

授權(quán)

2013/9/4

2016/7/6

30

發(fā)明

一種流體環(huán)境下的關(guān)節(jié)動(dòng)畫建模技術(shù)

ZL201310387419.2

授權(quán)

2013/8/30

2016/8/31

31

發(fā)明

一種橫向高壓MOSFET及其制造方法

ZL201310356773.9

授權(quán)

2013/8/16

2017/7/28

32

發(fā)明

一種低溫共燒陶瓷LTCC限幅濾波器

ZL201310355803.4

授權(quán)

2013/8/15

2016/8/31

33

發(fā)明

一種集成肖特基二極管的槽柵VDMOS器件

ZL201310350487.1

授權(quán)

2013/8/13

2016/8/31

34

發(fā)明

一種部分SOI超結(jié)高壓功率半導(dǎo)體器件

ZL201310345306.6

授權(quán)

2013/8/9

2014/3/12

35

發(fā)明

一種片式電子元器件內(nèi)電極的制備方法

ZL201310322790.0

授權(quán)

2013/7/29

2016/6/8

36

發(fā)明

一種RC-IGBT器件及其制作方法

ZL201310300668.3

授權(quán)

2013/7/17

2015/12/23

37

發(fā)明

一種RC-LIGBT器件及其制作方法

ZL201310300568.0

授權(quán)

2013/7/17

2015/9/9

38

發(fā)明

一種具有結(jié)型場(chǎng)板的功率LDMOS器件

ZL201310202668.X

授權(quán)

2013/5/28

2015/10/21

39

發(fā)明

一種具有結(jié)型場(chǎng)板的SOI功率LDMOS器件

ZL201310202568.7

授權(quán)

2013/5/28

2015/7/29

40

發(fā)明

具有肖特基接觸終端的快恢復(fù)二極管

ZL201310179865.4

授權(quán)

2013/5/15

2016/3/23

41

發(fā)明

一種超低比導(dǎo)通電阻的橫向高壓功率器件及制造方法

ZL201310177386.9

授權(quán)

2013/5/14

2015/6/17

42

發(fā)明

一種橫向高壓功率器件的結(jié)終端結(jié)構(gòu)

ZL201310174274.8

授權(quán)

2013/5/13

2015/6/17

43

發(fā)明

絕緣柵雙極型晶體管均流輸出電路

ZL201310136045.7

授權(quán)

2013/4/18

2015/7/29

44

發(fā)明

一種橫向高壓功率半導(dǎo)體器件的結(jié)終端結(jié)構(gòu)

ZL201310078793.4

授權(quán)

2013/3/13

2015/4/15

45

發(fā)明

一種超結(jié)LDMOS器件

ZL201310077827.8

授權(quán)

2013/3/12

2015/6/24

46

發(fā)明

一種碳微納米材料與氮化鋁的復(fù)合薄膜的制備方法

ZL201310015091.1

授權(quán)

2013/1/16

2015/4/15

47

發(fā)明

一種槽型半導(dǎo)體功率器件的制造方法

ZL201210226462.6

授權(quán)

2012/7/3

2013/1/9

48

發(fā)明

一種具有低導(dǎo)通壓降的P-i-N二極管

ZL201210191065.X

授權(quán)

2012/6/12

2014/6/18

49

發(fā)明

一種低開啟電壓二極管

ZL201210186331.X

授權(quán)

2012/6/7

2015/5/27

50

發(fā)明

一種雙陽(yáng)極短接的IGBT器件

ZL201210068388.X

授權(quán)

2012/3/15

2014/1/15

51

發(fā)明

一種積累型槽柵二極管

ZL201210049361.6

授權(quán)

2012/2/29

2014/6/4

52

發(fā)明

一種具有P型埋層結(jié)構(gòu)的槽柵二極管

ZL201210049388.5

授權(quán)

2012/2/29

2013/3/13

53

發(fā)明

一種具有優(yōu)化雪崩擊穿電流路徑的超結(jié)MOSFET器件

ZL201110386133.3

授權(quán)

2011/11/29

2013/9/25

54

發(fā)明

一種垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管

ZL201110351748.2

授權(quán)

2011/11/9

2013/5/29

55

發(fā)明

一種在金屬鎳基片上生長(zhǎng)氧化物鐵電薄膜的方法

ZL201110051845.X

授權(quán)

2011/3/4

2011/7/27

56

發(fā)明

一種基于熱流耦合分析技術(shù)的硫化爐的設(shè)計(jì)方法

ZL201010618956.X

授權(quán)

2010/12/31

2011/12/14

57

發(fā)明

一種氧化鋅納米線陣列的制備方法

ZL201010609908.4

授權(quán)

2010/12/28

2012/9/19

58

發(fā)明

一種管絞機(jī)滾筒

ZL201010604825.6

授權(quán)

2010/12/24

2011/7/27

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